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하이닉스는 올 2ㆍ4분기 48나노미터(㎚) 낸드플래시, 3ㆍ4분기 54㎚ D램을 양산하고 고부가의 모바일 D램 생산을 늘리겠다고 밝혔다. “지난해 D램 66㎚ 공정전환, 낸드플래시 60㎚ 공정전환과정에서 원하는 만큼 성과를 내지 못했지만 발생했던 문제가 다 해결됐다”고 밝혔다.<하이닉스 "경쟁력 강화"미세공정 조기적용·모바일D램 투자 서울경제>

하이닉스가 2007년 4분기 실적발표회에서 의미있는 투자계획을 발표했다. M11의 램프업을 늦추겠다는 것이 그것이며, 2분기에 48나노 낸드플래시를 양산하겠다고 늦추었으며, D램은 66나노 이후 54나노 공정기술 도입이 정상적인 공정전환 시기로 보는 1년 후로 계획하고 있다는 것이다. 이제 하이닉스가 여유가 있어 보인다는 점이 긍정적이라 하겠다. 하이닉스가 또 조급하게 300mm 팹인 M10 라인을 통해서 48나노 낸드플래시를 양산 시도할 계획을 M11에 맞추어 늦춰 진행한다는 것도 긍정적이다.

2007년 4분기에 실적이 좋지 않았던 이유는 미세 공정전환이 제 때에 이루어지지 않은 점이 가장 큰 이유다. M10라인에서 66나노 D램 양산을 시도하는 중에, 똑같은 팹에서 D램을 양산하고 있던 일부 라인을 전용해 낸드플래시 양산을 시도하고 있었으며, 57나노 낸드플래시 미세공정 전환을 동시에 시도했던 것이다.

300mm 팹 M10은 D램 전용팹이었다. 이 팹 일부 라인을 낸드플래시 양산용으로 전환함과 동시에, 미세공정 전환이 D램은 66나노, 낸드플래시는 57나노로의 공정전환이 동시에 이뤄졌다. 하이닉스 내의 미세 공정전환 관련 부서직원들에게 부하가 걸려도 심하게 걸렸음을 추측해 볼 수 있다.

그런 와중에서도 M10라인에서 월생산 웨이퍼 13만장을 처리할 수 있는 능력을 보여주었으니 정말 대단한 양산능력을 하이닉스가 보여주었다. <하이닉스 M10, 월생산 13만장 대기록 달성 디지털데일리>

당초 2008년 1월 중 경기도 이천의 M10 공장에서 48나노 공정기술을 적용해 낸드플래시메모리를 양산코자 했던 하이닉스의 일정은 2분기 중으로 다소 늦춰진 것으로 나타났다. 하이닉스 관계자는 "아직 48나노 공정의 양산을 시작하지 못했다"며 "2분기 중 이천의 M10과 청주의 신설 M11에서 각각 48나노 공정으로 16기가비트(Gb) 낸드플래시 양산을 시작할 예정"이라고 22일 밝혔다.<하이닉스, 48나노 낸드양산 2분기로 늦춰 아이뉴스24>

하이닉스가  57나노 낸드플래시를 양산한 시점이 얼마 되지 않았다. 2007년 10월 경으로 보는 것이 맞겠다. <하이닉스, 50나노대 낸드플래시 양산 돌입 머니투데이 2007.11.12>

12월 4일자 뉴스를 보면, 하이닉스는 내년 1월부터 48나노 공정을 이용한 16Gb(기가비트) 멀티레벨셀(MLC) 낸드플래시 제품의 양산을 시작한다고 4일 밝혔다. 이천 M10 라인에서 수천장 규모로 1차로 양산에 들어가며 현재 건설 중인 청주 M11 라인이 완성되는 내년 상반기 중 생산량을 2만장까지 늘릴 방침이다. <하이닉스, 세계 최초 40나노 공정서 낸드플래시 양산 헤럴드경제 2007.12.04>

위에 링크된 2007년 11월 12일자 하이닉스 50나노대 낸드플래시 양산돌입이라는 뉴스가 나온지 얼마 안되어 얼마(20일 정도) 지나지 않아서, 2008년 1월부터 48나노 공정기술로 낸드플래시를 양산한다는 뉴스가 흘러 나왔었다. 이를 다르게 보면 하이닉스의 57나노 공정기술의 낸드플래시 양산이 치명적인 문제에 봉착한 것이 아닌가 하는 의구심이 생겼었다.

많은 투자비를 투입한 57나노 미세공정으로 낸드플래시를 양산을 시작한지 얼마 되지 않아서, 57나노 투자비를 회수하기도 전에, 더 앞선(어려운) 48나노 미세공정을 도입하려고 서둔다는 것은 일리가 맞지 않기 때문이었다. 아마도 57나노 양산수율이 엉망이었지 않았나 추측케하는 대목인 것이다. 수율이 엉망인 57나노 공정기술을 안정화 시키기 보다는 위험부담이 있지만 개발이 진행중인 48나노 공정기술을 도입하는 것이 더 나을 것이라고 결정할 만큼 57나노 공정으로는 골든수율 확보 성공 가능성을 내다보기도 끔찍할 정도였다고도 볼 수 있다는 것이다.

그러나, 2007년 1월 경에 양산한다던 48나노 낸드플래시 양산계획은 2분기로 늦추어졌다. 이를 부정적으로 보자면 48나노 공정기술이 보완할 점이 아직 많이 남아 있어서 일정을 늦출 수 밖에 없었으니, 미세공정기술로 삼성전자와 도시바를 앞서려는 계획이 차질을 빚게 되었다고 볼 수 있다.

그러나, 똑같은 사안을 긍정적으로 보자면 하이닉스의 57나노 공정기술 낸드플래시 양산이 제 괘도에 오른 것으로 볼 수도 있다는 점이다. 초기에 극심하게 나빳던 57나노 낸드플래시 수율이 제 괘도에 오르면서, 아직 보완해서 개발할 여지가 남아 있는, 48나노 낸드플래시 공정기술 전환을 위험을 무릅쓰면서 서둘러서 시도할 필요성이 많이 줄었다고도 볼 수 있다는 것이다.  

M10에서의 48나노 낸드플래시 양산을 2분기로 늦추고, 2월말 완공되는 낸드플래시 전용 팹 M11의 램프업을 늦추었다는 것은 잘 가동되고 있는 M10을 건드리지 않고 M11에서 먼저 48나노로 공정전환을 먼저 시도하지 않겠나 예상할 수 있겠다. 그렇다면 2007년 3분기 이후 혼란스러웠던 M10이 2008년 들어서는 조용히 셋업완료된 공정기술로 양산에 전념할 수 있는 시기를 갖는다는 점이 하이닉스의 가격경쟁력을 높여주는 계기를 부여해 줄 수 있을 듯 하다.

2007년 2분기 삼성전자가 68나노로의 공정전환이 여의치 않아서 이건희 회장으로부터 반도체 총괄이 질타를 많이 받고 3분기부터 다른 모습을 보여주었듯이, 하이닉스도 어려웠던 57나노 공정기술의 문제점 때문에 어쩔 수 없이, 선택의 여지없이, 박차를 가할 수 밖에 없었던 48나노 낸드플래시 공정기술이 빛을 발할 수 있는 시기가 다가오고 있다고 하겠다. 하이닉스가 위기를 극복하는 과정에서 얻은 48나노 공정기술로 업계 최초로 40나노대 낸드플래시 양산시기를 타 경쟁사 보다 앞서 도입할 수 있는 기회를 잡았다는 것이다.

이제 하이닉스가 D램 66나노, 낸드플래시 57나노 수율 안정화로 인해 여유를 갖는 모습이고, 시간을 좀 벌었으니 2008년에는 48나노 낸드플래시, 54나노 D램의 공정전환이 순조롭게 이루어졌으면 하는 바람이다. 2008년에는 하이닉스에게 좋은 일만 생겼으면 한다.

하이닉스 2007년 4분기 영업 실적을 보며
하이닉스의 비메모리 반도체, TSMC 같은 실리콘 파운드리(위탁생산) 사업이 어려운 것은
D램 치킨게임 승자는 삼성전자와 하이닉스가 아닌 엘피다가 되는 분위기
실리콘화일의 CIS 파운드리(위탁생산)가 동부하이텍에서 하이닉스로 옮겨가는 의미
하이닉스 2007년 4분기 영업실적이 대만 난야와 이노테라의 영업적자보다는 적어야 할텐데