P램, M램에 이어 Z램이라는 반도체 용어가 나왔다. 알파벳 끝자이니 나중에 나오는 차세대 메모리는 어떻게 불리게 될지 궁금하다.
D램을 대체하는 차세대 반도체인데, 캐패시터가 없는 D램을 Z램이라 일컫는 것 같은데, 반도체 셀 구조가 궁금하기 짝이 없다. 기존 D램은 캐패시터내 전하의 충, 방전하는 스위치 역활을 트랜지스터가 함에 따라 '0', '1'을 기억하는 구조로 되어 있다.
그런데, 단위 셀 면적에서 캐패시터가 차지하는 면적이 거의다라고 보면 쉽다. 아마 캐패시터가 단위 셀 면적의 80%는 차지할 듯 싶다. 여기서 캐패시터가 쓰이지 않고 트랜지스터만으로 D램 메모리를 구현한다고 하니, Z램이 세상에 나오면, 기존 똑같은 D램 메모리 용량의 Z램을 만든다고 하면, 적어도 50%의 면적 감소 효과와 100% 이상의 생산량 증대가 효과가 있겠다 싶다. 단위 셀만으로 70%이상 줄일 수 있지만 대 면적을 차지하고 있는 패드사이즈를 고려하면 그렇다는 것이다.
캐패시터를 쓰지 않는다면, 전자나 정공을 품는 어떤 특수한 분자를 이용하는 모양인데, Z램이 양산이 된다면 D램 업계구조가 달라질 것으로 보인다. 반도체 메모리 사업이 설비투자 경쟁에서 차세대 반도체 개발경쟁으로 옮아가고 있는 것이다.
하이닉스가 보기에 Z램 기술이 구현가능하다고 판단된다면, 이노베이티브 실리콘과 라인센스 계약만 할 것이 아니라 지분투자까지 했으면 하는 바램이다. Z램이 하이닉스의 개발 아래 대성공을 거두게 됨다면, 또 다시 남 좋은 일만 시켜줄 수 있기 때문이다.
하이닉스, 신개념 메모리 `Z램` 개발한다 이데일리 뉴스 보기
제품의 경쟁력을 위해 Chip size의 한계를 고려하며 Capacitor의 면적을 늘리기 위해서는 수평이 아닌 수직으로 그 크기를 키워나갑니다. 즉 capacitor가 없어지면 chip의 높이는 확연히 줄어들겠지만 평면적인 size가 50%나 줄어든 다는 것은 단언할 수 없을 것으로 보입니다. 용량은 모르겠지만 면적으로만 보면 포투님이 생각하시는 것보다 훨씬 실망스러울 수 있을 것 같습니다
특수 웨이퍼를 이용해서 캐패시터의 면적을 줄이는 Z램 기술이 흥미로왔습니다.
Z램을 좀 보고 싶다는 생각입니다.