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하이닉스가 인텔로부터 54나노 1G DDR2 D램의 인증을 받았다고 한다. 삼성전자는 이에 앞서 7월달에 51나노로 인증을 획득한 바 있다.
<하이닉스, 54나노 1G D램 인텔 인증 획득 전자신문에서,
삼성전자·하이닉스, 50나노급 D램시장도 선도 아이뉴스24에서>

60나노대 공정에서 66 : 68로 하이닉스가 앞섰으나, 50나노대에서는 하이닉스가 삼성전자의 51나노를 3나노 차이로 넘어서지 못했다.

삼성전자 보다 앞서려고 60나노대에서는 하이닉스가 공격적인 미세공정기술을 추진했으나 성과가 좋지 못했다. 수율이 좋지 않았던 것이다. 지금도 66나노 미세공정전환에 어려움을 겪고 있다는 말이 나오고 있다. 그렇기에 50나노대에서는 하이닉스가 소극적인 선택을 하고, 뒤처졌던 삼성전자는 공격적인 공정기술을 적용하려 하는 것으로 보인다.

2나노 앞섰던 하이닉스가 이번에는 3나노 차이로 역전당했으니 격차가 5나노가 된다. 하이닉스가 66나노에서 54나노로 가면서 선폭을 12나노 줄였다고 본다면 5나노 차이는 엄청난 차이로 볼 수 있다. 선폭을 12나노 줄임으로서 50%의 생산성이 증가한다고 했으니, 5나노라면 20%는 되는 것인가?

하이닉스가 50나노대에서 무리하지 않는 것은 66나노 미세공정전환에 있어서 겪었던 어려움때문이 아니겠는가 싶다. 하이닉스도 개발단계에서 시생산으로 넘어가면서 아마도 51나노로도 만들어 보았을 것이다. 즉, 50, 51, 52, 53, 54, 55나노대 1G DDR2 D램의 시제품을 모두 가지고 검토를 했을 것이고 최종적으로 삼성전자보다 3나노 뒤진 54나노 공정기술을 선택한 것이다.

그렇다면 인텔의 인증을 받고 난 후에 미세공정기술을 바꾸면 어떻게 될까? 즉 하이닉스가 66나노로 인텔의 인증을 받고 실제본격적인 양산에 돌입하니 수율이 기대한 만큼 나오지 않는다. 그렇다고 해서 68나노로 바꿔 적용할 수 있을까? 당연히 할 수 없다.

굳이 할려면 할 수는 있다. 인텔에 다시 68나노 인증을 신청하고, 거래하는 고객사에 샘플을 다시 보내고 팹의 반도체 장비를 다시 조정하고 다시 양산에 들어가면 된다. 이 와중에 인텔의 인증이야 다시 따면 되겠지만 고객사의 신뢰는 무너질 것이며 공정전환을 수정함으로서 생기는 기간공백때문에 생기는 손실은 감당하기 어렵다. 그러니 수율이 좀 안나오더라고 계속 끌고 갈 수 밖에 없는 것이다. 어차피 내친 걸음, 되돌릴 수 없다는 것이다. 그러니 애초에 하는 선택이 가장 중요한 것이다.

그러니 이번에 하이닉스의 삼성전자보다 3나노 뒤지는 공정기술의 선택은 기술력의 차이를 인정한 셈이 된다. 도저히 안되겠다고 자인하는 선언인 셈인 것이다. 거꾸로 삼성전자가 하이닉스를 제치기 위해서 무리한, 공격적인 선택을 한 것 일 수도 있다. 그 결과는 일년 후 쯤 나올 것이다.

하이닉스와 삼성전자의 시생산 수율이 얼마였는지는 모른다. 공격적이라면 20%의 수율부터 시작할 수도 있을 것이고, 소극적이라면 40%의 수율부터 골든 수율로 끌어올리기에 나설수도 있을 것이다. 이번에는 삼성전자의 51나노 미세공정전환 과정이 더 주목된다고 하겠다.

 그리고, 하이닉스의 김종갑 사장이 또 엉뚱한 말을 던졌다. “이왕 추울 바에는 내년 1·4분기까지 좀 더 확실하게 북풍한설이 몰아쳐야 한다.”<“어려울때 공격적 투자” 반도체社 역발상의 힘 서울신문에서> 수장이 이런 말이나 한가하게 던지고 있다. 참 한심하다. 모두 위기라고 생각하는데 김종갑 사장 혼자만 여유로워 보인다.