하이닉스가 512M D램에서 1기가 D램의 생산을 확대하는 비중을 공격적으로 늘려서 1기가 D램의 생산비중을 올 4분기에는 50%이상을 생산한다고 한다. 삼성전자는 이와 다르게 점진적인 확대전략을 추진해 4분기 20%의 1기가 D램 생산을 목표로 한다고 한다.
일단 하이닉스와 삼성전자의 1기가 D램으로의 생산 확대전략의 성패는 미리 예단할 수 없다. 1기가로의 비중을 높인 하이닉스의 결정이 옳기 위해서는, 1기가 D램 수요가 빠르게 늘어나서 올 4분기에는 1기가가 주력 D램으로 자리잡아야 한다. 반면 삼성전자의 경우는 512M가 내년 상반기까지는 주력으로 남아 있어야 점진적인 전략이 올바른 선택이었음을 증명하게 될 것이다. 즉, 하이닉스와 삼성전자는 6개월의 시각차가 존재하는 것이다.
이렇게 다른 전략에서 눈여겨 볼 점은 하이닉스가 추진하는 생산 확대전략이 기술적으로 그렇게 간단치 않다는 점이다. 하나의 팹에서, 같은 미세공정상에서 512M에서 1기가로 제품을 바꿔 생산하는 것도, 수율을 안정화 시키는 것이 어렵고, 그 안정시킨 데이타가 다른 팹에서는 똑같이 적용될 수 없다는 것이다. 그런데 하이닉스는 80나노대 미세공정의 512M D램에서 66나노 1기가 D램으로 공정과 제품 두가지를 달리해서 생산을 하겠다는 것이다.
미세공정으로 전환하는 문제는 최근 D램 가격 급등의 단초를 제공했던 대만 기업을 보면 알 수 있다. 공정전환 과정에서 수율이 떨어지는 것은 피할 수 없기 때문에, 예를 들어 전체 생산물량이 100개이고, 열개의 팹에서 10개씩 생산한다고 하면, 하나의 팹에서 공정전환으로 인한 생산 차질로 인한 생산량 감소가 3개월 간 평균 50%에 달한다고 보면, 그 3개월 동안은 95개 생산에 그치는 것이다. 두개의 팹에서 동시에 작업을 한다면 생산량이 90개가 될 것이고, 3개의 팹이라면 85개의 생산감소를 피할 수 없는 것이다. 물론 이는 미세공정 전환에 따른 생산량 증가를 감안하지 않았다. 어쨋든 전환과정에서 전체 생산량의 감소를 피할 수 없다는 말이다.
하이닉스가 공격적으로 현재의 80나노대 512 M D램에서 66나노 1기가 D램으로의 생산 확대 전략을 편다는 것은 제품교체, 공정전환에 따른 생산량 감소를 최소화 시킬 수 있다는 자신감으로 보이는데, 이는 자신감만으로 다 설명할 수 없는 것이다. 미세 공정전환, 제품교체 생산에 대한 기술력 및 노하우가 세계 최고라고 자부함과 동시에 성공 가능하기에 이런 선제적인, 공격적인 전략을 세울 수 있었던 배경이 아니었나 한다.
삼성전자도 하이닉스를 따라서 공격적으로 전환할 수 있을까? 아마도 하고 싶어도 할 수 없을 것이다. 그래서 그 핑계로 전략을 달리한다는 표현을 쓰는 것이리라.
이제 생산 기술력에서도 하이닉스가 삼성전자보다 앞서 나가기 시작했다.
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일단 하이닉스와 삼성전자의 1기가 D램으로의 생산 확대전략의 성패는 미리 예단할 수 없다. 1기가로의 비중을 높인 하이닉스의 결정이 옳기 위해서는, 1기가 D램 수요가 빠르게 늘어나서 올 4분기에는 1기가가 주력 D램으로 자리잡아야 한다. 반면 삼성전자의 경우는 512M가 내년 상반기까지는 주력으로 남아 있어야 점진적인 전략이 올바른 선택이었음을 증명하게 될 것이다. 즉, 하이닉스와 삼성전자는 6개월의 시각차가 존재하는 것이다.
이렇게 다른 전략에서 눈여겨 볼 점은 하이닉스가 추진하는 생산 확대전략이 기술적으로 그렇게 간단치 않다는 점이다. 하나의 팹에서, 같은 미세공정상에서 512M에서 1기가로 제품을 바꿔 생산하는 것도, 수율을 안정화 시키는 것이 어렵고, 그 안정시킨 데이타가 다른 팹에서는 똑같이 적용될 수 없다는 것이다. 그런데 하이닉스는 80나노대 미세공정의 512M D램에서 66나노 1기가 D램으로 공정과 제품 두가지를 달리해서 생산을 하겠다는 것이다.
미세공정으로 전환하는 문제는 최근 D램 가격 급등의 단초를 제공했던 대만 기업을 보면 알 수 있다. 공정전환 과정에서 수율이 떨어지는 것은 피할 수 없기 때문에, 예를 들어 전체 생산물량이 100개이고, 열개의 팹에서 10개씩 생산한다고 하면, 하나의 팹에서 공정전환으로 인한 생산 차질로 인한 생산량 감소가 3개월 간 평균 50%에 달한다고 보면, 그 3개월 동안은 95개 생산에 그치는 것이다. 두개의 팹에서 동시에 작업을 한다면 생산량이 90개가 될 것이고, 3개의 팹이라면 85개의 생산감소를 피할 수 없는 것이다. 물론 이는 미세공정 전환에 따른 생산량 증가를 감안하지 않았다. 어쨋든 전환과정에서 전체 생산량의 감소를 피할 수 없다는 말이다.
하이닉스가 공격적으로 현재의 80나노대 512 M D램에서 66나노 1기가 D램으로의 생산 확대 전략을 편다는 것은 제품교체, 공정전환에 따른 생산량 감소를 최소화 시킬 수 있다는 자신감으로 보이는데, 이는 자신감만으로 다 설명할 수 없는 것이다. 미세 공정전환, 제품교체 생산에 대한 기술력 및 노하우가 세계 최고라고 자부함과 동시에 성공 가능하기에 이런 선제적인, 공격적인 전략을 세울 수 있었던 배경이 아니었나 한다.
삼성전자도 하이닉스를 따라서 공격적으로 전환할 수 있을까? 아마도 하고 싶어도 할 수 없을 것이다. 그래서 그 핑계로 전략을 달리한다는 표현을 쓰는 것이리라.
이제 생산 기술력에서도 하이닉스가 삼성전자보다 앞서 나가기 시작했다.
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