퀄컴이 TSMC의 파운드리 전용팹을 이용해 45나노 미세공정을 적용한 반도체 칩을 출하한다고 한다. 그리고, 퀄컴이 40나노 칩도 개발 중이라 한다.
올해 삼성전자와 하이닉스는 D램 공정전환 경쟁을 하고 있는데, 삼성전자가 6f2 68나노, 하이닉스는 66나노로 전환중이다. 그런데, TSMC가 45나노라니, 더군다나 퀄컴이 40나노 칩을 개발중이라는 의미는 이미 TSMC가 40나노 공정으로도 칩을 양산할 수 있다는 의미인 것이다. 퀄컴이 40나노 칩을 개발한다는 것은 TSMC의 파운드리 팹의 40나노 공정용 공정 파라미터, 공정 데이타가 주어졌다는 것을 의미하기 때문이다.
짧은 뉴스이지만 시사하는 바가 참으로 크다고 하겠다. 메모리는 단위 셀 설계가 끝나면 그 후로는 배치설계가 주된 설계이다. 세계에 메모리를 설계할 수 있는 인력과 업체들은 많지만 미세공정을 적용할 수 있는 반도체 팹이 없어 일부 업체만이 과점하고 있었던 것이다. 그것은 메모리 설계력이 부족해서 메모리 시장에 뛰어들지 못했던 것이 아니라 반도체 팹을 보유하려면 회사의 명운을 걸 정도로 막대한 자금을 주기적으로 계속해서 투입해야 하는 메모리 사업의 특성때문에 참여업체가 소수였던 것이다.
그런데, TSMC가 파운드리 45나노 전용 팹을 반도체 시장에 내 놓은 것이다. 누구도, 어느 업체도 의뢰만 해라, 그럼 45나노 공정을 적용해 칩을 생산해 납품해 줄 수 있다고 나선 것이다. 그렇게 되면 지재권을 위배하지 않는 독자 설계력을 보유하고 있는 업체라면 D램이나, 플래시메모리를 최고의 가격경쟁력을 보유한 TSMC 45나노 파운드리 팹을 통해서 생산할 수 있게 된다.
TSMC의 미세공정 적용 팹이 45나노라면, 예를 들어 반도체 팹을 지니지 않은 애플이 팹리스 반도체 설계업체에게 낸드플래시메모리 설계를 의뢰하고, 이를 TSMC 45나노 파운드리 팹을 이용해 낸드플래시메모리를 생산할 수 있는 길이 열리는 것이다. 델의 경우도 D램 생산을 독자적으로 TSMC에 맡겨서 생산할 수 있게 되는 것이다. 인텔은 말할 것도 없고 IBM, HP, MS, 구글, 노키아도 메모리를 TSMC를 통해서 위탁생산할 수있게 된다는 의미이다.
그렇게 되면 D램이나 플래시메모리는 단품으로서의 존재가치를 잃어버리게 된다. 메모리를 생산할 때 주변 IC를 집적시키면 효율성이 높아지기 때문이다. 그리고, 반도체 공장을 보유하지 않고 설계인력만을 보유하면서
적은 비용으로 주력 메모리시장에 진출할 수 있는 길이 세계 수많은 중소, 신생 벤처기업들에게 열리는 것이다.
이제 삼성전자나 하이닉스가 노후화된 팹을 가지고, 남아도는 팹을 가지고 파운드리 사업에 진출한다고 해도 파운드리 업계의 선두권에 진입하는 것은 요원한 일이 되어 버렸다. 어느새 파운드리 업계가 미세공정 적용분야에서 메모리 업체들을 앞서가고 있기 때문이다.
만약 TSMC가 메모리를 생산하겠다고 나선다고고 해도 이상한 일이 아니란 생각이다. 45나노 공정으로 수개월 이내로 플래시메모리나 D램을 생산한다면 세계 최고의 가격경쟁력을 지니기에 그런 것이다. 이제 반도체 기술이 본격적으로 보편화되는 길로 들어섰다고 하겠다. 그런데, 시기가 빨라도 정말 빠르다. 이래서 요새 삼성전자나 하이닉스가 파운드리 사업에 나서는 자세가 달랐었구나 싶다. 반도체 생산업체로서는 파운드리 사업은 선택이 아닌 필수로 위상이 변한 것이다.
이제 메모리의 마진이 박해질 텐데, 갈수록 심해질텐데 준비는 제대로 하고 있나 하는 의문이 든다.
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