Z램(제로 캐패시터 램)은 절연막 위에 실리콘 단결정층이 있는 구조를 가지고 있는 SOI(silicon on insulator) 웨이퍼에서 만들어진다고 한다. Z램에서 트랜지스터는 실리콘 온 인슐레이터라는 독특한 구조로 만들어진다고 하고...
SOI 웨이퍼상에서 SOI 구조를 갖는 트랜지스터가 동작할 때 양전하가 쌓여 이 때 나타나는 트랜지스터의 극성을 가지고 '0'과 '1'을 구분, 저장하는 구조라고 한다.
그렇다면 Z램에서의 트랜지스터는 캐패시터가 담당하는 전하저장소를 가지고 있는 트랜지스터라고 봐야 할 것 같다. 캐패시터가 없어서 Z램이라 불리지만 역시 Z램도 전하 저장소가 필요함에는 변함이 없는 것이다. 그런데, 꼭 절연막이 있는 SOI 웨이퍼로 만들 수 있다고 하니 절연막에 임의로 격리공간을 만들어 절연막으로 연결되는 스위칭 한쪽을 '0'으로 하고 절연막을 통하지 않고 전기가 흐르는 다른 한쪽을 '1'로 한다는 것 같기도 한데 그렇게 되면 극성을 유지시키기 위해서 전기가 항상 통해야 할 것 같고, 또 전하가 저장되는 장소가 있다하니 전기장으로 유전체를 유도하는 방법인 듯도 하고...
절연체를 유전체로 유도해야하기 때문에 SOI 웨이퍼만이 캐패시터 없는 트랜지스터라는 Z램을 만드는 모양이다. 물론 캐패시터 역할을 하는 것은 절연체, 전기장으로 전하를 발생하는 유전체가 한다고 봐야할 것 같다.
캐패시터를 품은 트랜지스터가 Z램에서 말하는 트랜지스터로 보이는데 헷갈리게 하는 용어다. Z램을 캐패시터가 없어서 Zero Capacitor Ram램이라 부른다더니 이제보니 Z램은 대형 캐패시터안에 트랜지스터를 오밀조밀 배치한다고도 볼 수 있겠다.
그럼 전기장을 미세하게 다룰 수 있어야 할 텐데, 그래서 SOI 웨이퍼가 더욱 더 필요하겠다 싶다. Z램은 절연체와 유전체를 미세하게 조절하는 것이 기술의 핵심으로 보이기에 그렇다.
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