D램 가격이 연일 하락하고 있다. 낸드플래시도 하락하기는 마찬가지다. 그럼 지금 왜 D램가격이 하락세를 면치 못하는지 반도체 업체들의 60나노대 공정전환과 연관시켜 이유가 무엇인지 풀어보려 한다.
삼성전자, 하이닉스, 엘피다의 60나노대 공정전환 경쟁이 치열하다. 65, 66, 68나노로의 공정 전환 경쟁이다. 그렇다면 반도체 업체가 60나노대로 공정전환한 팹에서 현재 DDR2 D램 주력제품인 DDR2 512Mb 64Mx8 667MHz과 똑같은 D램을 생산하려 한다면 어떻게 될까? 오히려 80나노대에서 생산하는 것보다 60나노대에서 생산하는 것이 힘들어 진다. 80나노대 팹에서 생산할 때 얻을 수 있는 수율에 못 미치게 되는 것이다.
이유는 간단하다. 다이(Die) 크기가 줄어 들었기 때문이다. 다이 크기가 줄어들게 되면 한장의 웨이퍼에서 200개의 다이를 생산할 수 있었던 팹의 생산성이 높아져 250개 이상의 D램을 생산할 수 있게 된다. 그런데, 다이 크기가 작아지면 당연히 전자(電子)가 다니는 회로(回路) 길이가 짧아지게 된다. 짧아지게 되면 D램의 동작스피드가 빨라지게 된다. 그런데, 반대로 낮은 속도로 D램을 구동하게 하려면 버퍼(buffer)를 추가해서 딜레이(delay)를 주어야 한다. 그렇게 되면 비효율적인 버퍼가 추가하게 되어 오히려 다이 사이즈를 키우는 역작용을 하게 되는 것이다. 그렇기에 동작스피드가 느린 D램 규격 맞추는 것을 지양하게 되고, 더 높은 동작스피드를 갖는 고성능 D램이 생겨나게 된다.
그렇기에 반도체 업체들이 60나노대로 공정전환한 팹에서 생산해내는 D램은 80나노대에서 보다 동작스피드가 빠른 D램이 나타나게 되는 것이고, 기존의 주력 동작스피드인 667MHz는 뒤로 밀리게 되는 것이다. 이러니 주력이 아닌 D램 가격이 하락하는 것은 어찌 보면 당연한 것이다. D램 업체는 60나노대 팹으로 D램을 생산하기 전에 구형 D램을 처분해야 한다. 고성능 D램이 나오면 주력에서 밀려나고 고성능 D램의 신규시장을 만들어내는 데도 걸림돌로 작용할 수 있기 때문인 것이다.
여기서 소비전력도 같은 문제다. 다이 사이즈가 작아져서 전체 회로 길이가 짧아지면 D램을 저전력으로 구동할 수 있게 되기 때문이다. 그렇기에 미세공정으로 전환된 팹에서는 동작 스피드가 빠르고 저전력으로 구동되는 D램이 생겨나게 되는 것이다.
반도체 유통업계에서는 이를 알고 있기에 구형이 될, 현재 주력 D램을 서둘러 구입할 필요가 전혀 없으며 오히려 재고를 줄이려 하기에 D램 가격이 떨어지는 것이다. 이번에 공교롭게 D램업체가 거의 동시에 공정전환 경쟁을 하고 있기에, D램 가격의 단기 급락이 일어난다고 해서 놀랄 일은 아닌 것이다.
반도체 업체의 D램 재고가 소진되면, 그 다음부터는 60나노대 팹에서의 수율경쟁에 돌입하게 된다. 초기 수율이 60%대에서 시작하는 업체는 행운일 것이고, 초기수율이 40%대에서 시작하는 업체도 생겨나게 된다. 이 때가 되면 D램의 단기 가격 급등도 일어날 수 있고, 거꾸로 하락세를 면치 못할 수도 있다.
그렇기에 현 시점에서는 공정기술에서 강점을 지니고 있는 빈도체 업체가 유리한 고지를 선점할 수 있다. 예전에는 기술력의 차이에 의해 앞서거니 뒤서거니 공정전환이 이루어졌는데, 이제는 거의 동시에 비슷한 60나노대 공정전환이 이루어지고 있기에 그런 것이다.
삼성전자가 뒤처지고 허둥대니, 하이닉스에게 기회가 주어졌다고 볼 수 있겠다.
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