DDR2를 이을 DDR3 D램 관련 흥이로운 뉴스가 있어서, 삼성전자와 하이닉스의 DDR3 D램 제품 구성은 어떠한가 알아 보았다.
DDR2 D램은 동작속도 400 - 800Mb 소비전력 1.8V이고, DDR3 D램은 800Mb - 1.6Gb 소비전력은 1.5V로 낮다. 과연 삼성전자와 하이닉스가 1.6Gb까지 속도를 올렸는지에 대해 관심이 간다.
역시 삼성전자가 선두업체답게 DDR3 1Gb를 내놓고 있다. 여기서 보면 단품으로는 DDR3 256M까지 상용화가 되어 있음을 알 수 있다.
삼성전자도 DDR3의 최고속도(1600Mbs)에는 미치지 못하는 1333Mbps를 만족시키고 있다.
<자료는 삼성전자 홈페이지에서>
하이닉스는 DDR3 D램를 아직 상용화시키지 못했다. 단지 DDR3 256Mb 엔지니어링 샘플로 개발해 놓은 상태다.
동작속도를 가늠해 볼 수 없게 Sx/Gx/Hx/Px로 표시가 되어 있다.
<자료는 하이닉스 홈페이지>
이것으로 DDR3가 올 1분기에 왜 2.8% 의 저조한 점유율을 차지할 수 밖에 없었는지 알 수 있게 해준다. 제대로된 DDR3 D램이 세상에 나오지 않았다고 보여지기에 그렇다. 역시 DDR3 D램의 최고 동작속도인 1.6Gb는 60나노대 미세공정으로 전환된 팹에서 나오게 될 것으로 보인다.
어느 D램 업체가 먼저 동작속도 1.6Gb의 DDR3 D램을 먼저 세상에 내놓는지에 따라서 D램업계의 판도가 달라질 것으로 보인다. 아무래도 60나노대에서의 D램 생산은 마진이 높고 성능이 우세한 DDR3 D램이 주력이 될 것으로 보이기에 그렇다.
DDR3 D램 경쟁 달아오른다 아이뉴스24 뉴스 보기