DDR3 2Gb D램을 46나노로 양산한다는 삼성전자 발 뉴스가 각 언론사에서 쏟아져 나온 날이 어제다. 그 바람에 포투 블로그의 사이드와 본문 하단의 '자동 끌어오는 뉴스링크'가 관련뉴스로 도배가 되기도 했다. 그런데, 삼성전자가 46나노로 양산을 시작했고, 하이닉스는 44나노로 3분기내로 양산을 시작한다고 하는데, 엘피다메모리와 마이크론테크놀로지는 아직까지 잠잠하다. DDR3를 양산한다고 하지만 60나노 대 이상의 미세공정을 적용하고 있다는 소식만 들려오고 있다.
DDR3 1Gb 128Mx8 1333MHz D램 익스체인지(http://www.dramexchange.com/) 현물가격이 1.8달러를 고점으로 찍었다. DDR3라면, DDR2가 800MHz까지 이니, 1066MHz은 성이 안차고 1333MHz 정도는 돼야 시장 프리미엄(premium)을 얻을 자격이 있다. DDR3 1Gb 개당가격으로 1.8달러를 고정거래가로 보고, 60나노대에서 50나노대로 주력공정이 전환됐다는 점을 감안하면 원가는 DDR2 60나노대 원가라는 1.2달러 미만가격으로 볼 수있다. 60나노대 엘피다는 그 보다 높아서 DDR2일 때 1.5달러라 했으니 DDR3는 적어도 1.7달러나 높으면 1.9달러에 육박할 가능성도 있다고 보여진다. 이렇게 보면 엘피다는 이제서야 본전수준의 가격인 것이고 마이크론의 경우는 더 올라야 손익분기점을 맞출 수 있게 된다.
그런데, 마이크론의 경우는 34나노 미세공정으로 낸드플래시를 양산한다는 뉴스가 나온지도 꽤 됐는데 D램에서는 미세공정이 왜 이렇게 늦을까가 의문일 수 있다.
쉽게 보면, 포투는 어렵고 깊이있게 볼 줄 몰라서, D램과 낸드플래시는 메모리 특성이 크게 휘발성이냐 비휘발성이냐로 갈린다. 휘발성이란 얘기는 저장된 데이터가 가만히 두면 날라가(지워져) 버린다는 얘기인 것이고, 비휘발성이란 얘기는 전원이 공급되지 않아도 데이터가 그대로 남아있는 메모리라는 얘기다. D램은 휘발성 메모리이고 낸드플래시는 비휘발성 메모리의 대표주자다.
D램이 전원을 공급하지 않으면 데이터가 날아간다는 얘기는 주기적으로 전원을 공급해 줘야 함을 의미한다. 그래서 리플래시(Refresh, 재충전)를 해줘서 D램 내부의 캐패시터에 전하를 충전을 시켜줘야 한다. D램은 스위치(트랜지스터)와 캐패시터(0 또는 1)로 구성되어 있는데 시간이 흐름에 따라 캐패시터에 저장되어 있던 전하가 빠져버려서(데이터가 날아가 버리는 주 요인) 데이터 값을 유지하려면 캐패시터에 일정한 수준이상의 전하가 충전될 수 있도록 리플래시를 해준다는 얘기다. 전하가 빠져나기지 않게 문을 꽉 닫으면 리플래시를 하지 않아도 되지 않겠느냐 생각할 수도 있겠지만, D램이란 녀석은 태생적으로 빠르게 데이터를 썼다 지웠다를 반복할 수 있도록 설계된 메모리다. 그렇다면 D램내의 셀이 가지고 있는 데이터가 수시로 바뀌어질 수 있도록 설계되었다는 얘기다. 수시로 데이터가 바뀐다는 얘기는 셀안의 캐패시터의 전하량이 수시로 빠졌다 채워졌다를 반복해야 한다는 얘기고, 이를 위해 캐패시터에 전하를 충전시키기 위해 문을 열고 닫고 방전시키기 위해 문을 연다는 얘기고, 간단하게 툭하고 살짝 건드리면 쉽게 문이 열리게 설계되어 있다는 얘기다. 작은 힘으로 문을 열수 있어야 빠르게 전하를 빼거나 넣거나를 반복할 수 있을 것이기에 그렇다.
반면 낸드플래시는 셀이 스위치로(트랜지스터)만 구성돼 있다. 전원이 꺼져도 데이터를 그대로 저장한다는 얘기는 문이 꽊 닫혀 있다는 얘기고, 여간의 힘으로는 꿈쩍도 하지 않는다는 얘기고, 문을 열려면 스위치를 온(on) 또는 오프(off)로 바꾸기 위해서는 D램 보다는 강한 힘을 필요로 한다는 얘기다. 문을 쉽게 열고 닫지 못하니 강한 힘(소비전력 증가)이 필요하고 문이 열리고 닫히는 속도가 느리니 읽기, 쓰기 속도가 상당히 느릴 수 밖에 없는 것이다. 낸드플래시를 여러 개 묶어서 만드는 SSD의 동작속도를 유심히 살펴 보면 쓰기, 읽기속도가 100MHz대에서 아직도 묶여있음을 알 수 있다. DDR2 D램이 최대동작속도가 800MHz이고 DDR3가 1,6GHz까지 개발된 현재와 비교하면 동작속도 차이는 적으면 5배에서 많으면 10배까지 차이가 남을 알 수 있다.
글이 길어지고 있는데, 낸드는 셀이 설계되면 이어붙이기만 하면 끝난다. 포투가 이렇게 쓰고 말면 또 "낸드플래시라는 게 그렇게 단순하고 간단하게 만들어지는 것이 아니다"라고 LG건과 같이 딴지를 걸 수 있다. 글을 이어가기 쉽게 하기 위함이니 오해 말길 바란다. 포투가 쓰는 글쓰기 수준이 아직 미치지 못함이니 누구를 탓할 수도 없다.
어쨋든 낸드플래시메모리는 셀만들기에 온통 집중하면 된다. 그리고 이어붙이기를 하면 된다는 얘기고, D램의 경우는 셀을 만들어서 이어붙이기를 하는 것에는 차이가 없는데 추가되는 것이 리플래시회로다. 리플래시를 한다함은 D램안의 셀에 캐패시터의 전하량을 일정하게 유지한다는 의미인데 미세공정이 나아가면서 고려해야 할 문제가 발생한다. 60나노, 50나노 미세공정이라 함은 전자와 정공이 지나다는는 통로의 넓이를 일컫는데 전기가 지나다니는 길의 폭이 줄어들었는데 전하를 저장하는 캐패시터의 크기가 작아지지 않으면 우스운 모양의 셀이 나온다. 마치 괴물같은 셀이다. 전자가 다니는 길은 줄어들었는데 전자가 잠시 거하는 집(캐패시터)은 그대로라면 미세공정이 20나노로 전환된다고 해서 한 웨이퍼에서 찍어낼 수 있는 D램의 수는 많이 늘어나지 못하게 된다.
이는 60나노대에서 캐패시터가 1이라는 데이터를 저장하기 위해서 저장하는 전하의 양이 50나노대로 가면서 적어져야 한다는 의미이고 집(캐패시터)이 작아져야 함을 의미한다. 캐패시터의 용량이 적어지면 데이터를 유지하기 위해 필요한 리플래시 타임이 짧아져야 하고 데이터를 유지하는데만에도 전력소모가 상당해짐을 의미한다. 더구나 DDR3는 소모전력을 낮추기 위해서 동작전압이 낮다. 이번에 삼성전자가 개발했다는 DDR3 2Gb 1.6GHz은 1.35V다. 전압이라도 유지되면 좋으련만, 더욱 더 낮아진 전압으로 셀내의 캐패시터 문을 열 수 있다는 얘기고, 슬쩍 건드려도 캐패시터 문이 열린다는 얘기가 된다. 이렇게 되면 DDR3에서의 핵심은 작은 힘으로도 문을 쉽게 여닫을 수 있는 동시에, 의도하지 않는 힘에 의한 문열림을 대비해 문단속에도 소홀함이 없어야 함을 의미한다. 이는 상충되는 얘기인데, 문은 쉽기 열리지만 열고 싶을 때만 열려야 하는 것이고 예기치 않은 충격에 열려 버리면 안된다는 것이 된다. 안그러면 D램의 데이터는 알아서 춤을 출 것이다.
엘피다와 마이크론이 D램 50나노대로 미세공정이 나아가지 못한다는 얘기는 선폭을 줄이지 못한다는 얘기가 아니고, 셀을 설계할 수 없다는 얘기가 아니고, 셀 내의 전하를 제어할 회로가 구현되지 않았다는 얘기다. 이는 DDR2에서의 설계기술로는 뛰어넘을 수 없는 장벽이기에 이를 뛰어넘는데 애를 먹고 있다는 얘기로 귀결된다는 것이다. 대만의 메모리기업들이 엘피다와 마이크론에 의존해 D램을 양산하고 있는데, 삼성전자와 하이닉스의 기술이 그들의 관계와 비슷하게 서열이 매겨지게 되는 시발점이 DDR3에서가 아닐까 하는 생각이다.
원래 메모리 사업은 선발기업이 먼저 차세대 메모리를 개발해 출시하고 시장을 선점하면서 캐시(cash)를 긁어 모으고, 후발기업들이 시장에 진입했을 때 메모리 가격이 다운(down)돼 본전도 찾지 못하는 순환구조를 보여 왔다. 선발기업들에게는 환상의 순환구조고 후발기업들에게는 절망적인 순환구조인 것이다. 선순환 기조가 얼마나 길어질까가 관건(關鍵)이 되겠는데 가만히 보면 내년 여름까지는 이어갈 수 있다는 예측인 것이고, 그 쯤이면 충분한 시간이 될 것이다.
하이닉스가 많이 뒤처지지 않고 삼성전자를 따라갈 수 있다면 3위기업들과의 격차를 확실하게 벌일 수 있는 기회를 잡을 수 있게 된다는 것이다. 하이닉스가 중요한 시기에 실족을 하지 않는다면 가능성이 높다고 하겠다. 실족(失足)은 잘나가는 방향을 억지로 틀 때 발생되곤 한다. 그냥 가면 문제 없겠는데 누군가의 쓸데없는 훈수가 일을 망치곤 한다. 이를 경계해야 함이다.
오랜만입니다.///
글 잘 읽었습니다.
저 또한 포투님의 의견에 전적으로 동감하는 편인데요.....
사실...하이닉스 지인의 도움으로 하이닉스 주식을 6천여주를 보유하고 있습니다.
내년 가을까진 후발업체들이 삼성.하이닉스를 따라 올 가능성은 적다고 생각이 듭니다.
당연 내년 3/4분기까진 하닉주가가 대체적으로 강세를 띄지않을까 조심스레 예측이 되지만
일전에 제가 말씀드린적 있지만....내년 상반기에 대규모 증자(1조)건이 또 있다고합니다.
그럼...하닉의 갖가지 호재가 그 어마어마한 증자 악재?(증설로 인한 리스크등등)를 커버
할 수 있는 만큼....현재의 하이닉스 될수 있을까요?
(참고로. 지인 말데로는..내년 7월경에 주식을 팔수가 있다고 합니다.)===>찾아보니 우리사주같네요-_-
심경을 복잡하게 하십니다. 풀겠습니다.
'사정상'이란 말이 통할지 모르겠습니다. 그러나, 이는 앞으로도 절대 굽힐 수 없는 사명과 같습니다.
헬보이님 말씀대로 내년초에 유상증자를 할수도 있고 안할수도 있다고 생각이 듭니다만..
아직 7개월이란 시간이 남았고..그사이 .. 회사의 수익성의 증대와 가치의 증대로. 자본이 필요하더
라도..굳이 증자의 방법을 쓰지는 않을것 같네요.. 올해초 같은 2번의 증자는 사업성과의 하락으로 인해..
운영자금으로 쓰였다는 것은 모두가 아는 사실인데.. 올해 하반기의 수익 만으로도 충분히 내년 운영비는
충당될걸로 보이고.. 특히 올 하반기부턴.. 매각의 소식이 있을걸로 보이므로.. 모기업이 생길경우를 가정하에.. 내년 상반기의 증자 가능성은.. 현재로 볼때.. 지나친 우려가 아닌가 생각됩니다..
2분기 결과로 인해.. 앞으로 매각의 이슈가 부각될걸로 보이고.. 포투님 말씀대로.. LG의 삼성에 대한 추월
의지를 볼수 있는 기회가 되었으면 합니다..
사실...올해 1.2차 일반공모 증자는 채권단 몫이었습니다. 근데..과도한 유동성장세로 인한
증시 자본의 참여로...채권단은 증자 참여를 한푼도 못한 상태입니다.
이미...회사에 1조원가량을 하닉에게 도와?준다는 말이 정설로 알고 있습니다.
1.2차 증자에 참여할 실탄이 아직 채권단이 보유 중이라는 말입니다.
하닉 자체 자금(구조조정.비용절감,자산매각.유상증자,영업수익)과 채권단 지원(보증)으로
3조를 마련하여 내년 증설한다는게 80퍼센트이상입니다. 이미 TFT가 가동 중이라 합니다.
마지막으로...윗 레벨 분위기로는 엘지는 아니라고 하는데요.
헬보이님.. 올해 1,2차.유증을 일반공모한 이유는..회사자체에도 문제가 있지만.. 올해 초까지만 해도
시중 1금융권 은행들..거의 부도직전 상태였습니다.. 작년 연말 코스피가 890포인트 까지 떨어진 이유도
은행권의 부도 도미노현상의 우려였습니다.. 외환..상업은행등.. 채권단도 예외가 아니였으며..
채권단이 도와주고 싶어도 어려웠던 점이 있었고..한창. 외인 및 개인들의 주식상승역할에 힘입어..
2번에걸친 일반공모 유상증자를 하게된 이유입니다..또한 7월 10일자 하이닉스 공시한 내용을 보면..
청주신규공장의 시설투자금액을 3조 8천억원에서 2조 1천억원으로 1조 7천억원을 줄인다고 밝혔습니다.
2조 1천억원은 올해 두차례 증자로 1조원, 자산매각으로 5천억원, 차입 5천억원, 기타유동성 5천억원으로
현재 총 2조 5천억원의 유동성을 확보한 상황이고. 또한 주가상승으로인한 자본확충..그리고 하반기의
대규모 영업이익을 감안하면.. 내년초에 유증할 이유가 전혀 없다고 보이고..
현재 하이닉이 생산하는 그래픽..모바일..가전..낸드..pc,서브용램반도체등등.. 엘지와 관련없는..부품은
없다고 판단되고.. 올해 엘지의 엄청난 영업이익을 앞세워 삼전을 넘으서려는 의욕에 대해 하닉의 인수가
합쳐지면.. 완전한 삼전과의 경쟁체제로 가게된다고 생각되고..현재 국내기업중. 하닉인수시 가장큰
시너지 기업이라면.. 단연 엘지라고 생각됩니다..
온 계기가 ㄷ
모르죠..엘지는 아예 입질도 하지않았다고 했는데....낚시할때 기본이 입질이 기본이지 않아요?
그리고..하이닉스 재정상태..그렇게 양호한 상태 아닙니다.
청주의 3조원 넘은 투자금액은 원래는 복층으로 되어있는 M12에 투자할 계획이었는데..그것을
철회하는 바람에..투자액이 현저히 낮아지었을뿐입니다. M12에 투자하지않는다면
당연 이천에 증설 또는 리모델링한다는 반증이구요....처음에 말씀드렸지만...하이닉스
현재...그닥 재정상태가 좋지않습니다. 겨우3/4분기에 흑자전환 목표이구...최악의 경우
4/4분기 커리어 하이를 찍을 확률이 놓아서...실탄이 밑받침없이는 절대 증설이 힘든 상태입니다.
이정희님이 잘못 알고 계신것이 있는데요..1.2차 일반공모 증사시....증자 결의 하기전에
이미 채권단에서 실권주를 인수한다는 협약서를 먼저 체결한 상태이었습니다.
참.재미있네요.. 저는 글쓰는게 취미는 아닌데.. 쓰는김에..
하이닉같은 규모큰 기업의 매각작업은 물밑작업이 기본이며.. 전번에 현대중공업의 여의도증권가에서..
인수한다는 루머가 뜨자 단 5분만에 하닉 주가 급상승,,현중 주가 급하락을 경험했습니다..
이같이 매각의 작업은 특별한 보안이 필요한 작업이기때문에..언론에 절대로 공개될수 없죠..
또한. 이천에 증설한다는 말씀을 하셨는데.. 지금 한창 신문에 오르내리는 이천의 증설을 정치적으로
타결하려는 노력이 있으나..현실적인 실현에 의문이 생기며.. 비록 지금은 재정상황이 좋지 못하나..
반도체 산업의 특성상.. 단기간에 엄청난 수익을 얻을수 있는 산업이기에.. 그에따른 영업수익 및..
투자금을 유치하기 유리한 환경이 조성되는바.. 증설의 어려움은 크지 않을것으로 보이고요..
마지막..실권주인수협약서내용은... 유증당시..하닉의 급박한 재정적 압박에 의해 이루어진 사항이었고
유증의 실패는 있어서는 안되는 시점이므로..채권단의 어쩔수 없는 선택이라고 보여집니다..
또한 2차의 유증할 당시에는 .. 반도체 시류의 변화의 감지된 상황이었고..1차유증의 성공을 생각할때.
실패할 확률을 당연히 없었겠죠..
헬보이님... 기분나쁘게 들렸었을지도 모르겠으나.. 기분푸시고... 어쨋든..많은 주식을 보유하셨네요..
부럽습니다..
이정희님 아닙니다.^^
다만....하닉노조가 작년부터 올해까지 복지제도 반남.임금동결.명퇴등등을
수용한 배경에는.....채권단에서 푸시가 들어갔기때문입니다.
돈 줄테니....자체 구조조정해라......
근데..자체 구조조정 다 하고 나니깐...채권단에서는 돈을 주지 못하고 있습니다.
증자 참여한다는게..돈 준다는 이야기인데...일반공모하니..일반.외국.기관에서 싹 물량을
가져가니.....채권단은 노조(사측()와 했던 약속을 지키려고 해도 지키지 못하는 이상하고도
웃기는 형국이라는 것입니다. 지금은 ...하닉노조에서는...처음 약속데로.....돈 달라고 하는데....
하닉 노조에서는 우리사주에 발을 많이 들이 댄 상태이기에...조심하게 요구하는 것 같기도 하구요
아무튼....채권단은 애초 약속데로.......하닉에 돈을 줘야 합니다.(보증 대출 같은거 말구요) 오르지
증자 참여입니다. 근데....현재 시장 상황상......올해는 더이상 증자는 없다고 하기에
내년으로 미루었다는 후문입니다.^^
포투님 궁금한게 있습니다. LG에 대해서 한겨레가 대단히 호의적으로을 기사를 썼는데요, 포투님은 그 기사에 대해서 어떻게 생각하시는지요?
저는 포투님이 저번에 쓰신 모험을 전혀 추구하지 않는 2등기업의 한계론을 믿는 편입니다. 그래서 그 기사가 한겨레의 안티삼성에 대한 표현이라고 밖에 보이지 않았습니다. 포투님은 어떻게 생각하시는지 궁금합니다.
엘지와 보약으로 제목을 단 글이라시면, 읽어 보니 투자관련해 LGD와 LG화학을 언급하고 있고 선투자는 디스플레이 관련 사업입니다. 또 다른 한겨레 기사라면 링크를 해 주시면 좋겠습니다.
얼마 전에 LGD 권영수 사장 관련 글을 쓴 적이 있었습니다. 권영수 사장이 LG를 살리고 하이닉스도 살릴 수 있다란 글이었는데, LGD는 LG가 부족한 점을 채워주고 있고 돋보이게 하는 효자기업입니다. LG를 거론하면서 공격적인 투자를 감행하는 LGD를 내세워야 모양이 사는 형국입니다.
한겨레기사를 보면서 LG에 관해 그렇게 쓸 수도 있다는 생각입니다. 그래도 한겨레는 얌전한 편입니다. 짜집기 해 중복 송출하는 언론사도 굉장히 많습니다. 최근 뉴스링크를 소트(sort)하면서 많이 겪고 있습니다. 그정도는 무난하지 싶습니다.
포투의 생각을 흔들만한 별다른 내용이 보이지 않습니다.
다들 고생들 하십니다.
포투님
전 반도체 가격에 대해 좀 궁금한게 있어서용.. 보통 반도체 거래가격 공시해주는 사이트가
D램 익스체인지와 인스팩트럼테크 라는 사이트가 있습니다.
1.양사이트에 올려지는 현물가와 고정거래가의 차이는 무엇인가요?
어떤분들의 말로는 하이닉스나 삼성전자는 거기에 공시되는 고정거래가 보다 약간 더 높은 가격에 거래된다고 말씀하시는 분들도 계시던데?? 두사이트 가격이 다른이유는?
2.현물가는 대만에서 거래되는 현물가 인가요??
3.D램 익스체인지는 대만쪽 사이트라고 아는데 그럼 인스팩트럼테크는 어느 나라쪽? 인가요?
가격이 바뀌는거 보면 D램 익스체인지 는 고정거래가든 현물가든 잘 바뀌던데 인스팩트럼테크는 변동이 잘 없더라구요. 오늘 보니깐 현물가 DDR3 가격이 9%상승 했던데;;
아시면 좀 알려주세용 ㅠㅠ 부탁드립니다.
인스팩트럼테크는 뭐하는 사이트인지 모르겠습니다. 사이트 주소를 알지도 못합니다.
D램익스체인지는 D램현물 중개사이트입니다. 고정거래가는 알려주는 가격만을 반영할 수 밖에 없습니다. 대만 메모리기업들이 대형세트업체와의 고정거래가를 D램익스체인지에 정직하게 알리는 지도 믿을 수 없습니다.
짐작으로는 메모리기업과 중소세트업체 중간에서 D램장사하는 브로커들의 중소기업과의 장기계약을 고정거래가로 반영한다고 볼 수 있습니다. 삼성전자와 하이닉스는 고정거래가가 얼마인지 언론에 공개하지 않습니다. D램익스체인지 고정거래가격은 믿을 게 못됩니다.
다만 현물가격은 시장의 심리와 수요를 짐작케하는 미터계 구실을 합니다. 시장통에서 B급제품의 떨이(덤핑) 판매를 연상하시면 좋을 것 같습니다.
메모리기업들이 가격을 공개하지 않는 한 중개사이트들의 한계는 분명합니다. 현물가격 참고용 사이트일 뿐이라는 얘기입니다.
그리고, 윗 답글은 짐작일 뿐 사실과 다를 수 있습니다.
ps.
궁금해서 인스펙트럼(http://www.insye.com/) 사이트 주소를 찾아 링크에 걸어뒀습니다.
포투님의 지식(?)의 깊이에 항상 놀라곤 하는 사람입니다 ^^ 조금더 부연 설명을 드려야 할것 같은데요, NAND의 경우 Chip당 쓰기속도는 실제로 3MB/s도 겨우 나오는 수준이고 (MLC기준입니다) 실제로 Die Level로 보면 훨씬 더 느립니다. DRAM과 bit by bit으로 비교하면 수천배~수만배이상 느리죠. SSD가 빠른것은 여러개의 NAND Chip을 병렬로 연결하여 Parallel Writing을 하기 때문입니다. 그래도 DRAM보다 느린건 어쩔수가 없구요.
그리고 메모리에서 외부 공급전압은 메모리 외부 IO의 Signal 전압과 일치하지만, 내부에서 사용되는 전압과는 차이가 있습니다. 실제로, 메모리칩 내부에는 Voltage down, CHarge Pump등의 다양한 전압 상승/하강 회로들이 내장되어 있어 필요에 따라 사용하곤 합니다. NAND의 경우 Cell Writing할때는 10~20V의 고전압이 필요하므로 Charge Pump로 엄청나게 전압을 높여 Floating Gate에 Writing을 하지요. (속도가 느려지게 되는 주 원인이기도 합니다) 어쨌든간 공급 전압이 낮아지면 낮아질수록 전력소비를 줄일수 있는것은 사실입니다. 왜냐하면 외부 IO Signal들이 먹는 Power가 대부분이라고 할 정도로 많이 먹기 때문이지요. 그러므로 전압을 낮추면 낮출수록 전력소비를 줄일수 있는 여지가 생기는 것입니다.
그리고, 한가지 더 재미있는 정보를 드리자면, DRAM의 기본 Cell의 Capacitor는 온도가 올라가면 Data가 더 빨리 휘발되는 특성이 있습니다. 그래서 DRAM 내부에 온도 센서가 있어서 온도가 일정범위이상 올라가면 refresh 주기를 좀더 빨리 조정하여 Data가 날아가지 않게도 한답니다. ^^ (당근 전력을 더 먹겠죠?)
Pazz님 덕분에 포투 블로그가 다채로워집니다. 고맙습니다.
포투님의 좋은 글 및 아래 여러분들의 댓글 잘 읽었습니다.
한 가지 정보사항에 대해 포투님의 의견이 듣고 싶은데...
엘피다가 50nm 공정을 skip 하고 40nm 대로 바로 공정전환을 시도한다고 합니다. (~10년말)
아울러, 50nm 대와 Gross die 수량이 비슷한 65nm 공정을 내년 초에 적용한다고 합니다.
(65nm 설비를 50nm 고정 기반 양산에 적용하는 기술을 개발중이며, 이를 통해 Emersion Lithography 장비 투자비 절약)
가능한 얘기인가요??
아울러, 제가 지인의 얘기를 듣기론... 인텔은 연말까지 자사 생산 Mobile CPU 의 30% 를 DDR3를
사용하는 CULV 로 채우려 한다고 합니다...
포투님께서 2분기 실적발표 관련한 숫치적 검증을 윗글에서 해주셨는데...
DDR3 의 향후 하이닉스의 수혜에 대해서도 한 번 그렇게 평가해 주심 안될까요? ^^;;
즐거운 주말 보내세요.. 포투님 및 다른 여러님들...
엘피다 관련정보가 부족합니다. 그리고, 뭔가가 떠오르지 않습니다.