삼성전자 68나노, 하이닉스 66나노로 공정전환 팹에서 DDR2 1기가 디램을 주력으로 생산함으로써, DDR2 디램 512메가에서 1기가로의 세대교체를 1년 이상 앞당기겠다고 한다.

DDR3의 점유율 확대와 더불어, DDR2 1기가 디램의 가격경쟁력이 메모리업계에서 중요하게 되었다. 삼성전자, 하이닉스, 엘피다 어느 업체도 해보지 않았던, 경험하지 않았던 새로운 경쟁시대의 막이 오르고 있는 것이다. 삼성전자가 업계를 6개월이나 3개월 앞서 제품을 먼저 출시하고, 하이닉스, 마이크론, 엘피다가 따라붙는 경쟁구도에서, 이제 삼성전자, 하이닉스, 엘피다가 동시다발, 앞서거니 뒤서거니 신제품을 출시하는 경쟁에 돌입했다는 것이다.

이렇게 되면 삼성전자로서는 기술력이 앞서가는 디램에서 경쟁업체가 없어 고수익을 안겨주었던 현금루트가 폐쇄된다. 이제 고만고만한 이익에 만족해야 하는 시대로의 시작을 의미한다는 것이다.
 
이런 디램업계의 출혈경쟁은 주변산업을 활기있게 한다. PC분야가 그렇고 모바일 기기 분야가 그렇다. PC나 모바일 기기에서 세계 1등업체가 국내기업 중에서 있었으면 대 호황기를 누렸을 텐데 아쉬운 감도 있다.  달리 보면 삼성전자, LG전자가 모바일 기기에서 약진할 수 있는 기회가 될 수도 있겠다 싶다. 이는 디램업계가 마진 감소를 타개하기 위해 PC이외의 수요를 창출하는데 주력할 것이기 때문이다.

메모리 업계는 돌발변수가 나타나지 않는다면 한동안 고전을 면치 못할 것이다. 지금 60나노대 공정전환이 열심히 진행 중 일텐데, 아직까지 판도를 좌우하는 뉴스가 나오지 않았다. 물론 나올 때가 되기도 했다.

어쨋든 DDR2 1기가 디램 라인업이 어떤가 궁금해서 삼성전자, 하이닉스 홈페이지를 다녀 왔다.

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삼성전자는 DDR2 디램 7가지의 제품 라인업으로 구성되고 있다. 256메가까지 개발되었다는 것을 알 수 있다.

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F7이 DDR2 디램의 최고 동작스피드인 800Mbps인데, 이를 만족시키는 제품은 4가지 종류임을 알 수 있다.

<삼성전자 홈페이지에서 DDR2 1기가 디램 자료>




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하이닉스는 Customer sample을 제외하면 5가지의 디램 제품 라인업을 보유하고 있다. 역시 하이닉스도 256메가 4개를 가지고 1기가 디램을 만들고 있다.

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하이닉스는 S5가 800Mbps를 만족시키는 것인데, 3개 디램 제품이 이를 만족시키고 있다.

S6는 표기 잘못인지 800Mbps를 초과하는 동작 스피드를 낸다는 것인지는 확인이 안된다.




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<하이닉스 홈페이지에서 가져온 DDR2 디램 자료>

특이하게 하이닉스는 DDR2 2기가 디램을 보유하고 있다. 이는 삼성전자 홈페이지에서는 찾아볼 수 없다. x4로 2기가를 만들어냈다 함은 512M까지 DDR2 D램을 개발해 상용화 했다는 말이 된다.

물론 수요가 뒷받침되지 않아서 삼성전자가 전략적으로 DDR2 2기가 디램을 내 놓지 않았을 수도 있다. 어쨋든 DDR2 1기가 D램의 제품 라인업이 삼성전자와 하이닉스가 동등하다고 볼 수 있겠다. 오히려 2기가 디램에서 드러난 자료에 의하면 하이닉스가 앞서 있다.

앞으로 DDR2 디램 경쟁이 대단할 것으로 보인다. 오로지 가격경쟁력이 승패를 좌우하게 되었다.

"D램 주력 1기가로 세대교체" 전자신문 뉴스 보기

         



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