공교롭게 오늘 포투가 쓴 글 이후에 삼성전자가 DDR2 2기가 디램의 개발에 성공했다는 뉴스가 나왔다. 포투가 오늘 아침에 쓴 글 DDR2 1기가 디램 삼성전자와 하이닉스 라인업 비교, 하이닉스는 DDR2 2기가 디램도 에서 하이닉스는 이미 DDR2 2기가 디램제품을 세상에 내놓았는데, 삼성전자는 DDR2 2기가 디램이 없다라고 언급한 바 있다.
하이닉스 2기가 디램과 다른 점은 역시 공정차이에 의한 동작스피드 향상에 있다. 하이닉스의 DDR2 2기가 디램을 다시 볼 필요가 있겠다.
하이닉스는 667Mbps로 동작하는 DDR2 2기가 디램을 이미 보유하고 있고, 800Mbps로 동작하는 엔지니어링 샘플을 보유하고 있다.
<DDR2 2기가 디램 하이닉스 홈페이지 자료>
역시 삼성전자는 80나노 공정으로는 DDR2 2기가 디램의 양산이 어울리지 않는다는 판단에 의해 양산을 보류하고, 68나노 공정에서 DDR2 2기가 디램의 출시계획을 맞춰왔던 것으로 보인다.
이제 생생한 관전포인트가 생겼다. 오늘이 9월 12일이고, 삼성전자가 DDR2 2기가 800Mbps 디램의 인텔 인증을 알린 날이다. 과연 다른 메모리업체는 얼마만에 인텔 승인을 받을 수 있을지 귀추가 주목되는 것이다.
특히, 팹을 66나노와 65나노 공정으로 전환하고 있는 하이닉스와 엘피다에 이목을 집중시켜야 할 듯하다. 그리고, 삼성전자의 경우 80나노대에 비해 생산성이 40% 증가했다는데, 이 부분도 중요한 포인트가 되겠다.
과연 기간이 얼마나 차이가 나는지 궁금하다.
삼성전자, 세계 첫 60나노급 2기가 D램 개발 매일경제 뉴스 보기
하이닉스 2기가 디램과 다른 점은 역시 공정차이에 의한 동작스피드 향상에 있다. 하이닉스의 DDR2 2기가 디램을 다시 볼 필요가 있겠다.
<DDR2 2기가 디램 하이닉스 홈페이지 자료>
역시 삼성전자는 80나노 공정으로는 DDR2 2기가 디램의 양산이 어울리지 않는다는 판단에 의해 양산을 보류하고, 68나노 공정에서 DDR2 2기가 디램의 출시계획을 맞춰왔던 것으로 보인다.
이제 생생한 관전포인트가 생겼다. 오늘이 9월 12일이고, 삼성전자가 DDR2 2기가 800Mbps 디램의 인텔 인증을 알린 날이다. 과연 다른 메모리업체는 얼마만에 인텔 승인을 받을 수 있을지 귀추가 주목되는 것이다.
특히, 팹을 66나노와 65나노 공정으로 전환하고 있는 하이닉스와 엘피다에 이목을 집중시켜야 할 듯하다. 그리고, 삼성전자의 경우 80나노대에 비해 생산성이 40% 증가했다는데, 이 부분도 중요한 포인트가 되겠다.
과연 기간이 얼마나 차이가 나는지 궁금하다.
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